特色工艺

技术简介

• 绝缘栅双极型晶体管（IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种混合型电力电子元件，其结合了功率BJT和功率MOSFET的优点，具有MOS栅压控可关断能力，优良的导通特性（低通态功耗和大额定电流），适合的开关速度和较宽的安全工作区。Si IGBT最高耐压可达6500V，工作频率为2kHz至50kHz。目前IGBT广泛应用于消费类电器、工业控制、工业电源、新能源发电、智能电网、轨道交通、机车牵引和电动汽车等领域。

平台现状

• 积塔长期专注于功率IGBT工艺技术的开发，积累了丰富的开发经验和量产经验，现已具备平面IGBT与沟槽IGBT全系列工艺技术平台能力。积塔成功开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT和平面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽栅场终止型（Trench FS）IGBT，基于Trench FS平台又成功开发了650V/1200V逆导（RC）IGBT。积塔8吋量产的最新一代高密度沟槽栅高能氢注入场终止IGBT，饱和压降小、开关损耗低，且已通过车规级可靠性考核，产品应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、工业工控等领域。

技术能力

• 高密度沟槽栅刻蚀，LOCOS CMP，Poly CMP，Taiko背面研磨，高能氢注入，激光退火，高压大电流CP测试，Ring Cut & Dicing

技术简介

• 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是由金属、氧化物及半导体三种 材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流，用于功率输出级的器件，最高耐压可达900V。功率MOSFET主要用于电机控制（电动车、电动工具）、电源管理(锂电保护，光伏储能)、开关电源（同步整流，PD快充)等领域。

平台现状

• 积塔长期专注于功率MOSFET工艺技术平台开发，拥有丰富的MOSFET生产制造经验。现已形成包括Trench MOS，SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺技术平台。其中积塔8寸研发量产的SGT平台已涵盖30-200V，且已通过车规级可靠性考核。该器件采用电荷平衡技术，可以明显减小器件的导通电阻和米勒电容，实现更优的品质因数（FOM），从而有效降低导通损耗，提高开关性能和工作效率，在不间断电源、电池管理系统、电机驱动、服务器等领域有广泛的应用。

技术能力

• 高密度深沟槽栅刻蚀，高密度等离子体氧化物填充，多晶硅与氧化硅CMP，Taiko背面研磨

积塔6吋/8吋线拥有丰富的TVS（瞬态电压抑制器）工艺研发和生产经验；拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺，能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品，客户产品已经打入国际一流3C产品供应链，拥有能为国内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺方案。

技术简介

• 快恢复二极管（FRD，Fast Recovery Diode）具有快速的开通和高速关断能力，具有极短的反向恢复时间、较小的反向过冲电流和较好的软恢复特性，可用于续流二极管（FWD, Freewheeling diode），在IGBT关断后，为电路中的感性负载提供续流回路，减小电容的充放电时间，同时抑制负载电流的瞬时反向引起的高感应电压。同时，FRD也可以用于整流二极管。目前FRD广泛应用于消费类电器、工业/工控、可再生能源、新能源汽车等领域。

平台现状

• 积塔6吋拥有以外延片和扩散片为基础的FRD制程，支持电子辐照技术进行少子寿命控制。已量产包括650V/750V/1200V/1700V的技术平台工艺，并成功开发出3300V/4500V/6500V的超高压平台。

• 积塔8吋区熔片（FZ）FRD平台，采用低发射极掺杂效率设计和高能氢注入缓冲层，以及业内最先进的局域寿命控制技术（LLC，Local Lifetime Control），具有低正向导通电压、软恢复特性、正温度系数等性能优势。最高结温175℃，并可通过车规级可靠性考核。产品应用于新能源汽车、大功率光伏逆变、储能、工业工控等领域。同时，在此基础上，开发了1200V外延（EPI）FRD平台，成本更低，以满足客户的不同应用需求。

技术能力

• 全局寿命控制，局域寿命控制，Taiko背面研磨，高能氢注入，激光退火，高压大电流CP测试，Ring Cut & Dicing

技术简介

• MEMS 是利用集成电路制造技术和微结构、微传感器、控制处理电路甚至接口电路、通信电路和电源电路等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统，是微电路和微机械按功能要求在芯片上的集成，属于微电子技术与机械工程结合的一种工业技术，广泛应用于消费电子领域，机械领域、汽车工业领域以及化工与医疗器械领域

平台现状

• 积塔拥有超过10年的MEMS加工经验， 具有厚外延，深槽刻蚀，金属蒸金，富硅氮化硅以及其他定制化的解决方案， 目前具备光学MEMS传感器的研发和规模量产能力， 同时, MEMS扬声器仍在持续开发过程中。

技术能力

• CMOS兼容工艺、厚外延、深槽刻蚀、金属蒸金、富硅氮化硅，可应用于硅光通信、消费电子、工业控制