SIC
碳化硅器件(Silicon Carbide)
碳化硅材料具有高导热的材料特性,可在高温环境下正常运作。碳化硅功率器件具有耐高压、高频操作的优势。碳化硅器件可改善系统效率、可靠性,提升系统功率密度,小型化电力电子系统。在高可靠性要求的工业应用、高效电力系统、伺服电源及电力汽车等领域,碳化硅材料比其他新兴材料更具明显优势并被广泛应用。


PE
Inverter


Motor Contorl


Smart Power Grid


Ship &
Vessels


Windmills


UPS


xEV
碳化硅器件特点
碳化硅肖特基二极管具有高耐压、高导热材料特性,具有优异的反向恢复能力,可改善功率损失,提升系统的效率。
碳化硅MOSFET具有高速开关、低导通电阻等特性,在电力电子高频应用中,可以减少导通切换的功率损失,提升整体系统效率
SiC 平台工艺能力
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高温离子注入
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金属沉积
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高温退火
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激光退火
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深沟槽SiC刻蚀
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SiC栅氧
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SiC晶圆减薄
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自对准短沟道工艺
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高沟道迁移率工艺
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零缺陷筛选工艺
Roadmap
